成都先锋材料有限公司主要生产加工各种高科技薄膜溅射靶材，金属和半导体硫族元素化合物材料，以及各种成分的粉末。
并利用公司强大的材料科学技术力量，为客户提供各种量身定做有关高科技材料方面的技术服务。

GeSbTe是一种相变储存材料，基于锗锑碲化物的相变存储器(PCM)显示出显著的商业化潜力,是NOR型闪存和部分DRAM市场的一项替代性存储器技术，是一种潜力的未来新型半导体存储芯片技术。

成分

Ge,Sb,Te（不同原子比）

纯度

99.99%

密度

>98%,6.38g/cm³

尺寸

50.8mm - 300mm

公差

直径：±0.1mm,厚度：±0.1mm

粗糙度

32RMS

成都先锋材料有限公司是美国先锋材料股份有限公司(Pioneer Materials Inc.)于2008年在成都投资注册的独资公司， 目前注册资本金为400万美元. 公司拥有一批高水平的技术骨干人员，集研发和生产于一体，主要开发和生产用于新 型半导体芯片，薄膜太阳能电池，热电转换设备，光学存储和涂层等新兴技术领域的材料产品,是认定的高新 技术企业。 在成都高新技术开发西区，公司拥有13亩地和4000多平方米的厂房设施，已取得ISO9001质量体系及ISO14001环境体系认证。 公司目前有4项有关新型材料的发明专利，13项发明专利正在申请中。公司产品包括上述应用的各种高科技薄膜溅射靶材，金属和半导体硫族元素化合物材料，以及各种成分的粉末。利用公司强大的材料科学技术力量，也为客户提供各种量身定做有关高科技材料方面的技术服务。

公司产品销售欧美，日本，台湾，东南亚以及内地市场。

公司使命： 成为在洁净能源，半导体芯片和各种涂层等高科技应用领域的，世界的材料供应商。

2000年，美国先锋材料有限公司成立。

2008年，在成都设立全部由特拉华洲注册的美国公司投资的子公司(美国独资企业)。拥有51,000平方英尺的标准厂房，年产量可达14400片靶材。

2007年，成都先锋材料有限公司是ISO2000质量认证, ISO14001环保体系认证企业。

2008年，成都先锋材料有限公司已经成功开发出了多种高科技材料，其中包括薄膜太阳能电池单一靶材CIGS(铜铟镓硒)和热电转换方面的BiTeSe,BiSbTe金属化合物。

2009年，成都先锋材料有限公司和生产CIGS太阳能电池的设备厂商合作，在产业上进行垂直整合，提供Turn-key方案。 例如，和瑞典的MidSummer合作。

2011年，公司成功开发高的相变半导体存储芯片材料，并与世界的半导体厂商进行深入合作。