高纯锗晶体HPGe
供应商：北京泰坤工业设备有限公司[查看公司详情]
所在地：北京市昌平区回龙观金燕龙大厦2028
价格：面议
经营模式：生产型
联系人：施之春
产品简介
高纯锗晶体概述：
晶体性与几何描述 该晶体使用直拉法在晶体（100）方向延伸。圆柱形表面（表面光洁度小于2.5 μm RMS）。经红外成像法检测晶体结构稳定可靠。晶体几个结构由直径和长度决定。当一个晶体属于原生态晶体时，其当量直径为：
D ----外形尺寸当量直径
W----锗晶体重量
L-----晶体长度
测量值是四舍五入小可达到毫米级别。为了便于订单出货，我们会依据晶体的体积、直径和长度进行分类。同时我们可以满足客户的特殊需求，提供定制服务（特殊规格，请参照附件）。
纯度 残留载荷
允许净载流子杂质浓度与探头二极管的几个构造有关，请参照如列公式。其纯度依据据霍尔效应测量和计算。
l 同轴探测器
同轴探测器适用于下列公式：
where:
N
max = 每立方厘米杂质含量
VD = 耗尽层电压 = 5000 V
εo = 介电常数 = 8,85 10-14 F/cm
εr = 相对介电常数(Ge) = 16
q = 电子电荷1,6 10-19C (elementary charge)
r1 = 探测器内孔半径
r2 = 探测器外孔半径
纯度 假如晶体表面半径减少2mm,由于锂的漫射和刻蚀，内径8毫米的内孔半径， 适用公式变为：
D = 晶体外表面
平面探测器
平面探测器（厚度小于2厘米）适用于以下公式：
d=探测器外观尺寸厚度
径向分散载荷子（值）
迁移 霍尔迁移
性能 P 型晶体 μ
H ≥ 10000 cm
2/V.s
N 型晶体 μ
H ≥ 10000 cm
2/V.s
深能级 P 型晶体 通过深能瞬态测量，Cu
tot ≤ 4.5*10
9 cm
-3
N 型晶体 通过深能瞬态测量点缺陷 < < 5*10
8 cm
-3
晶体
P
型晶体
N
型晶体
位错密度
≤
10000
≤
5000
星型结构
≤
3
≤
3
镶嵌结构
≤
5
≤
5
高纯锗
HPGe
晶体参数说明：
高纯锗晶体 产地 法国 物理性质 颜色 银灰色 属性 半导体材料 密度 5.32g/cm3 熔点 937.2℃ 沸点 2830℃ 技术指标 材料均匀度 特级 光洁度 特优 超高纯度 99.99999%-99.99999999999%（7N-13N) 制备方式 锗单晶是以区熔锗锭为原料，用直拉法（CZ）法或者垂直梯度法（VGF法）等方法制备的锗单晶体。 产品规格 P、N型按客户要求定制 产品用途 超高纯度，红外器件、γ辐射探测器 P型N型高纯锗 在高纯金属锗中掺入三价元素如铟、镓、硼等，得到p型锗；
在高纯金属锗中掺入五价元素如锑、砷、磷等，得到n型锗。 交货期 90天
